所謂薄膜可變電容器是指在Si電路板上通過薄膜法形成電介質(zhì)，樹脂封裝。而電介質(zhì)薄膜材料則采用了高介電常數(shù)系列的陶瓷材料鈦酸鋇(BaTiO3：以下簡稱BT)系列材料。陶瓷電容器中使用的強(qiáng)電介質(zhì)材料包含了BT系列材料等，因此當(dāng)向電介質(zhì)施加電場的時(shí)候，它具有相對介電常數(shù)變化(減少)的直流偏置特性。

薄膜可變電容器活用了直流偏置特性，是一種可以通過控制電壓來調(diào)整靜電容量的功能性設(shè)備。此外，通過薄膜法將電介質(zhì)層變薄，從而提升了施加于電介質(zhì)的電場強(qiáng)度，實(shí)現(xiàn)了通過低電壓獲得相對較大的靜電容量變化率的目標(biāo)。

另外，由于使用了高介電常數(shù)系列材料，可以通過反復(fù)施加電壓來最佳地控制電介質(zhì)的組成，例如像靜電容量值的偏差(直流偏置老化特性)、靜電容量變化的遲滯特性這樣的課題。在NFC的場合下，通過調(diào)整共振頻率的應(yīng)用確保零問題使用。